深圳市华诺星科技有限公司

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产品分类

供应STL76DN4LF7AG 品牌ST
供应STL76DN4LF7AG 品牌ST
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供应STL76DN4LF7AG 品牌ST

型号/规格:

STL76DN4LF7AG

品牌/商标:

ST

封装:

QFN

批号:

22+

数量:

6000

产品信息

类型
描述
STL76DN4LF7AG

MOSFET 2N-CH 40V 40A PWRFLAT
MOSFET - 阵列 40V 40A(Tc) 71W(Tc) 表面贴装型 PowerFlat?(5x6)
MOSFET Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ 40 A STripFET F7 Power MOSFET i
Trans MOSFET N-CH ????V ????A Automotive ??-Pin Power Flat EP T/R
2个N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):956pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET? F7
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
产品状态
STL76DN4LF7AG
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(MAX)
6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(MAX)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(MAX)
17nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(MAX)
956pF @ 25V
功率 - MAX
71W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat?(5x6)
基本产品编号

STL76

STL76DN4LF7AG




STL76DN4LF7AG


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