MOSFET  场效应管 RQ3E120ATTB

产品属性属性值搜索类似制造商:ROHM Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:HSMT-8通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:39 VId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:61 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VQg-栅极电荷:62 nCPd-功率耗散:2 W配置:Single封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.85 mm 长度:3 mm 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:2.4 mm 商标:ROHM Semiconductor 下降时间:95 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:30 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:140 ns 典型接通延迟时间:20 ns 零件号别名:RQ3E120AT