CSD25402Q3A 场效应管

产品属性属性值搜索类似制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VSONP-8通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:76 ARds On-漏源导通电阻:8.9 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:4.5 VVgs th-栅源极阈值电压:650 mVQg-栅极电荷:7.5 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 125 CPd-功率耗散:69 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:NexFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.9 mm 长度:3.15 mm 系列:CSD25402Q3A 晶体管类型:1 P-Channel Power MOSFET 宽度:3 mm 商标:Texas Instruments 下降时间:12 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:25 ns 典型接通延迟时间:10 ns