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N沟道场效应管 RK7002T116
发布时间: 2019/10/22 10:58:59 | 281 次阅读
产品属性属性值搜索类似制造商:ROHM Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:115 mARds On-漏源导通电阻:7.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:225 mW配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.95 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.3 mm 商标:ROHM Semiconductor 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:20 ns 典型接通延迟时间:12 ns 零件号别名:RK7002 单位重量:8 mg